高效率、低成本｜30W A+C雙口 氮化鎵功率集成快充方案

亞成微30W A+C雙口  氮化鎵（GaN）功率集成快充方案，是基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL + 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片組合，通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合，實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局，具有高效率、小體積、低成本等特點，可有效幫助快充電源廠商加速中小功率快充量產并節省物料成本。



 

1.方案DEMO（尺寸：40mm×31mm×20mm）

芯片介紹：
主控采用亞成微氮化鎵功率集成芯片RM6604NDL
次級芯片采用亞成微高性能同步整流芯片RM3405SH
 

氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL

■ 支持 CCM/QR 混合模式
■ 內置 650V GaN HEMT
■ 內置 700V 高壓啟動
■ 特有抖頻技術改善 EMI；Burst Mode 去噪音
■ 低啟動電流（2uA）和低工作電流
■ 集成斜坡補償
■ 集成輸入 Brown out/in 功能
■ 外置 OVP 保護
■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護
■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護
■ 采用DFN5*6封裝

高性能同步整流控制芯片RM3405SH

 

■ 輸出電壓直接供給VCC

■ CCM操作的快速驅動程序功能

■ 工作頻率200KHz

■ 驅動抗干擾功能

■ 采用SOP8 封裝
 

2.方案原理圖






3.待機功耗






4.能效測試






5.紋波測試








6.溫升測試

7.傳導測試
 

230V輸入

20V/1.5A（L）測試結果

230V輸入

20V/1.5A（N）測試結果