高效率、低成本｜25W 氮化鎵功率集成快充方案

25W 氮化鎵（GaN）功率集成快充方案（基于亞成微氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL+同步整流芯片RM3434SA+協議芯片RM6602T）

亞成微25W 氮化鎵（GaN）功率集成快充方案，是基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL + 超快關斷同步整流控制芯片RM3434SA + 協議芯片RM6602T芯片組合，通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合，實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局，具有體積小、性能強、功耗低等特點，滿足低成本、高效率、高可靠性小型化快充電源需求。

1.方案DEMO（尺寸：34mm×30mm×23mm）

芯片介紹：
主控采用亞成微氮化鎵功率集成芯片RM6604NDL
次級芯片采用亞成微超快關斷同步整流芯片RM3434SA
協議芯片采用亞成微RM6602T

方案特點：

■ 支持 CCM/QR 混合模式
■ 內置 650V GaN HEMT
■ 內置 700V 高壓啟動
■ 特有抖頻技術改善 EMI；Burst Mode 去噪音
■ 低啟動電流（2uA）和低工作電流
■ 集成斜坡補償及 ZVS 高低壓補償
■ 集成 AC 輸入 Brown out/in 功能
■ 外置 OVP 保護
■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護
■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護
■ 采用DFN5*6封裝