合封氮化鎵高集成電源芯片RM6604ND

芯片概述

RM66040ND內部采用我司自主研發封裝技術，芯片內部集成CCM/QR反激式開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅動器以及驅動保護等，支持最大36W快充，具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點，滿足快充電源小型化設計要求。此外，芯片采用DFN5*6封裝，成本更為優異。

RM6604ND 集成多種工作模式，在重載情況下，系統工作在傳統的固頻 130Khz 的 PWM 模式下，在低壓輸入時會進入 CCM 模式；在重載情況下，系統工作在 QR 模式，以降低開關損耗，同時結合 PFM工作模式提高系統效率；RM6604ND 采用專有的驅動技術，搭配高壓 GaNFET 功率器件改善 EMI 設計；在輕載或空載情況下，系統工作在 Burst Mode 模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6604ND 本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善 EMI。

RM6604ND 同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內置 OTP，外置 OVP，欠壓鎖定（uvlo),逐周期過流保護 OCP，過載保護（OLP），CS 短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償。

功能特點
 

■ 內置 700V 高壓啟動；

■ 內置 650V GaNFET； ? 支持最大 130KHz 工作頻率；

■ 內置特有抖頻技術改善 EMI； ? Burst Mode 去噪音；
■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；
■ 集成斜坡補償；
■ 集成輸入 Brown out/in 功能；

■ 外置 OVP 保護；

■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護；

■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。

原理圖

產品系列