大功率GaN快充｜QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601ND

芯片特點
 

高效率、大功率

■支持CCM/QR混合模式；

■支持最大130KHz工作頻率；

■RM6601ND采用專有驅動技術，可直驅 E-mode GaN FET

超低待機功耗

■ 內置700V高壓啟動；

■ 集成X-CAP放電功能；

■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；

■ 待機功耗<65mW。

優異的性能

■ 內置特有抖頻技術改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 集成斜坡補償及高低壓功率補償功能；

■ 集成AC輸入Brown out/in功能；

■ 外置OVP保護，具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護；

■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


原理圖


產品圖

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