支持120W快充｜3D封裝技術氮化鎵直驅電源芯片RM6801SQ

芯片概述

RM6801SQ是一款采用3D封裝技術的高性能、高可靠性、高集成度電流控制型PWM開關控制芯片，內部集成了ZVS反激式PWM控制器、氮化鎵驅動器以及高壓啟動管，最大輸出功率120W，具有高效率、高通流、高導熱率等特點。

RM6801SQ全電壓范圍內待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準，并且支持CCM/QR混合模式，專有ZVS技術降低GaNFET開關損耗,提高產品效率及功率密度，改善產品EMI。芯片集成多種工作模式，在重載情況下，系統工作在傳統的固頻130Khz的PWM模式下，在低壓輸入時會進入CCM模式；在高壓重載情況下，系統工作在QR模式，并采用專有ZVS技術，以降低開關損耗，同時結合PFM工作模式提高系統效率；RM6801SQ采用專有的驅動技術，易于搭配Emode GaN功率器件改善EMI設計；在輕載或空載情況下，系統工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6801SQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。

RM6801SQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCC OVP，內置OTP，外置OVP，欠壓鎖定（uvlo),逐周期過流保護OCP，過載保護（OLP），CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償和ZVS線電壓補償。

功能特點
 

■ 專有ZVS技術；

■ 內置700V高壓啟動；

■ 集成X-CAP放電功能；

■ 支持最大130KHz工作頻率；

■ 內置特有抖頻技術改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；

■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償；

■ 集成AC輸入Brown out/in功能；

■ 外置OVP保護；

■ 具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護；

■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護

原理圖


產品圖

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