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支持120W快充｜3D封裝技術高集成電源芯片RM6620DS
來源：亞成微電子 發布時間：2021-02-28 閱讀次數：
支持120W快充｜3D封裝技術高集成電源芯片RM6620DS
■ 內置700V高壓啟動；
■ 集成X-CAP放電功能；
■ 內置650V 超結MOSFET；
■ 支持最大130KHz工作頻率；
■ 內置特有抖頻技術改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；
■ 集成斜坡補償及高低壓功率補償；
■ 集成AC輸入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保護；
■ 具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護；
■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。
芯片概述
RM6620DS是一款采用3D封裝技術的高性能、高可靠性、高集成度電流控制型PWM開關控制芯片，內部集成了支持CCM/QR的反激式PWM控制器、650V超結MOSFET、超結MOS分段驅動器以及高壓啟動管，最大輸出功率120W，具有高效率、高導熱率、高通流、高雪崩耐量等特點。
RM6620DS集成多種工作模式，在重載情況下，系統工作在傳統的固頻130Khz的PWM模式下，在低壓輸入時會進入CCM模式；在重載情況下，系統工作在QR模式，以降低開關損耗，同時結合PFM工作模式提高系統效率；RM6620DS采用專有的分段驅動技術，搭配超結MOSFET改善EMI設計；在輕載或空載情況下，系統工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6620DS本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。
RM6620DS同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCC OVP，內置OTP，外置OVP，欠壓鎖定（uvlo),逐周期過流保護OCP，過載保護（OLP），CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償功能。
功能特點
■ 內置700V高壓啟動；
■ 集成X-CAP放電功能；
■ 內置650V 超結MOSFET；
■ 支持最大130KHz工作頻率；
■ 內置特有抖頻技術改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；
■ 集成斜坡補償及高低壓功率補償；
■ 集成AC輸入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保護；
■ 具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護；
■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。
原理圖
產品圖
產品系列
| 型號 | 反饋形式 | 輸出功率 | 封裝 | 功率管 | 應用領域 |
| RM6620DS | SSR+QR | 120W | wQFN8*8 | 內置超結MOS |
PD/QC快速充電器 大功率適配器 TV電源 |