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GaN快充｜ZVS反激電源控制芯片RM6801SN
來源：亞成微電子 發布時間：2020-08-26 閱讀次數：
近年來，手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便，隨著快充技術的迅速發展，更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求，而對于各大充電器廠商來說，大功率、高效率、小體積、安全穩定的高功率密度快充方案將成為這場戰役中的制勝關鍵。在傳統以及準諧振反激形式應用中，由于MOS導通時的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現，很好的解決了這些痛點。為了適應快充市場發展新需求，亞成微通過不斷研究改進，成功推出了ZVS反激式架構的開關電源控制芯片RM6801X...
強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801X
高效率、大功率
■專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗，改善EMI特性；
■支持CCM/QR混合模式；
■支持最大140KHz工作頻率；
■兼顧E-Mode GaN FET及超結MOSFET（COOLMOS）驅動設計，可直接驅動E-Mode GaN功率器件，省去外置驅動器件。
超低待機功耗
■ 內置700V高壓啟動；
■ 集成X-CAP放電功能；
■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；
■ 待機功耗<65mW。
優異的性能
■ 內置特有抖頻技術改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能；
■ 集成AC輸入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保護，具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護；
■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。
原理圖
產品DEMO（尺寸：55mm×30mm×25mm）
能效測試
待機功耗
ZVS高低壓補償及實測波形
產品系列
| 型號 | 反饋形式 | 輸出功率 | 封裝 | 功率管 |
| RM6801S | SSR+ZVS | 100W | SSOP-10 | 外置MOS |
| RM6801SN | SSR+ZVS | 100W | SSOP-10 | 外置GaN |